MAGNIT MAYDONIDA YARIM O‘TKAZGICHLAR HAQIDA BOSHLANGICH MALUMOTLAR (Yangi O'zbekiston taraqqiyotida tadqiqotlarni o'rni va rivojlanish omillari, 2024)
Ushbu maqola "Magnit maydonida yarim o‘tkazgichlarga statsionar fotoinduksiyalangan xodisalar tadqiqi" mavzusida olib borilgan ilmiy izlanishlarni o‘z ichiga oladi. Tadqiqotning asosiy maqsadi magnit maydoni ta’sirida yarim o‘tkazgichlarda yuzaga keladigan fotoinduksiyalangan jarayonlarni o‘rganishdir. Yarim o‘tkazgich materiallari, masalan, kremniy (Si) va germaniy (Ge) kabi materiallar, elektronika va optoelektronika sohalarida keng qo‘llaniladi va ularning magnit maydoni bilan ta’siridagi o‘zgarishlar yangi texnologiyalarni yaratishda katta ahamiyatga ega.Maqolada magnit maydonining yarim o‘tkazgichlardagi elektr va fotogeneratsiya jarayonlariga ta’siri, shuningdek, fotosensitivlik va optik xususiyatlarining o‘zgarishi tahlil qilinadi. Fotoelektrik effekt, Hall effekti, magnitrezistans va spintronika kabi hodisalar magnit maydonining yarim o‘tkazgichlardagi fotoinduksiyalangan hodisalarga ta’sirini yoritadi. Tadqiqotda yarim o‘tkazgich materiallarida magnit maydoni va fotonlar o‘rtasidagi o‘zaro ta’sirning yangi qonuniyatlari aniqlanadi, bu esa yarim o‘tkazgichlar asosida ishlovchi optik qurilmalar va sensorlar uchun yangi imkoniyatlar yaratadi.Maqola, shuningdek, magnit maydoni va yarim o‘tkazgichlarning yangi xususiyatlarini o‘rganish orqali nanomateriallar va yangi optoelektronika texnologiyalarini rivojlantirishga xizmat qiladi. Tadqiqot natijalari fotosensitiv materiallar, elektron qurilmalar va boshqa ilg‘or texnologiyalarni yaratishda muhim ahamiyatga ega bo‘lishi mumkin.